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20109D1C470K5P
器件3D模型
3.449
20109D1C470K5P 数据手册 (3 页)
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20109D1C470K5P 技术参数、封装参数

类型
描述
电容
47 pF
封装
SIP
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

20109D1C470K5P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Bulk
材质
Ceramic
高度
7.62 mm
工作温度
-55℃ ~ 125℃

20109D1C470K5P 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
3 页 / 0.09 MByte

20109D1C470K5 数据手册

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