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25LC256-I/SN
器件3D模型
1.699
25LC256-I/SN 数据手册 (32 页)
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25LC256-I/SN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
10 MHz
引脚数
8 Pin
电源电压
5.00 V, 5.50 V (max)
工作电压
2.5V ~ 5.5V
封装
SOIC-8
供电电流
6 mA
针脚数
8 Position
时钟频率
10 MHz
存取时间
50 ns
内存容量
32000 B
输入电容
7 pF
上升时间
100 ns
下降时间
100 ns
存取时间(Max)
50 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.5V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
2.5 V

25LC256-I/SN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.25 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

25LC256-I/SN 数据手册

Microchip(微芯)
32 页 / 0.78 MByte
Microchip(微芯)
8 页 / 0.1 MByte
Microchip(微芯)
27 页 / 0.23 MByte
Microchip(微芯)
14 页 / 0.26 MByte
Microchip(微芯)
3 页 / 0.5 MByte
Microchip(微芯)
1 页 / 0.11 MByte

25LC256 数据手册

Microchip(微芯)
256K SPI总线串行EEPROM 256K SPI Bus Serial EEPROM
Microchip(微芯)
25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 (HOLD) 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大时钟 10 MHz 最大写入电流 5 mA 读取电流:6 mA(典型) 待机电流:1 μA(典型) 32,768 x 8 位组织 64 字节页面 自定时擦除和写入周期,5ms(最大) 块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性:>1M 擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip(微芯)
MICROCHIP  25LC256-I/P  EEPROM, AEC-Q100, 256 Kbit, 32K x 8位, 10 MHz, SPI, DIP, 8 引脚
Microchip(微芯)
25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 (HOLD) 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大时钟 10 MHz 最大写入电流 5 mA 读取电流:6 mA(典型) 待机电流:1 μA(典型) 32,768 x 8 位组织 64 字节页面 自定时擦除和写入周期,5ms(最大) 块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性:>1M 擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip(微芯)
25LC256T系列 2.5V至5.5V 10MHz 256Kb SPI总线 串行电可擦除PROM-SOIC-8
Microchip(微芯)
25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 (HOLD) 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大时钟 10 MHz 最大写入电流 5 mA 读取电流:6 mA(典型) 待机电流:1 μA(典型) 32,768 x 8 位组织 64 字节页面 自定时擦除和写入周期,5ms(最大) 块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性:>1M 擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
Microchip(微芯)
25LC256 系列 256 Kb (32 K x 8) 5.5 V 表面贴装 SPI 总线 串行 EEPROM - TSSOP-8
Microchip(微芯)
25LC256系列 256Kb (32Kx8) 2.5V TSSOP-8 串行 SPI总线 电可擦除 工业温度 卷盘
Microchip(微芯)
25LC256 系列 256 Kb (32 K x 8) 5.5 V 表面贴装 SPI 总线 串行 EEPROM - MLF-8
Microchip(微芯)
25LC256T系列 2.5V至5.5V 10MHz 256Kb SPI总线 串行电可擦除PROM-SOIC-8
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