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2N3055 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-3

描述:

STMICROELECTRONICS 2N3055 单晶体管双极, NPN, 60 V, 3 MHz, 115 W, 15 A, 70 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N3055 数据手册 (7 页)

封装尺寸在4 页 5 页

2N3055 数据手册 (7 页)

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2N3055 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

1 MHz

引脚数

2 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

15.0 A

封装

TO-3

额定功率

115 W

针脚数

2 Position

极性

NPN

功耗

115 W

集电极击穿电压

100 V

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

最小电流放大倍数

20 @4A, 4V

最大电流放大倍数

额定功率(Max)

115 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

115000 mW

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2N3055 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tray

材质

Silicon

长度

39.5 mm

宽度

26.2 mm

高度

8.7 mm

工作温度

-65℃ ~ 200℃

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2N3055 符合标准

2N3055 海关信息

2N3055 概述

2N3055 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

7 页 / 0.2 MByte

2N3055 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.05 MByte

2N3055 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

6 页 / 0.13 MByte

2N3055 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.03 MByte

2N3055 产品手册

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.04 MByte

2N3055 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.16 MByte

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