Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor(安森美) > 2N7000RLRAG Datasheet 文档
2N7000RLRAG
0.09
2N7000RLRAG 数据手册 (4 页)
查看文档
或点击图片查看大图

2N7000RLRAG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
200 mA
封装
TO-92-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
5 Ω
极性
N-Channel
功耗
350 mW
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
200 mA
输入电容值(Ciss)
60pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
350 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
350mW (Tc)

2N7000RLRAG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

2N7000RLRAG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.45 MByte
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 2.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 1.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

2N7000 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7000  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET 200毫安, 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92
CJ(长电科技)
N沟道,60V,0.2A,6Ω@4.5V
Diotec Semiconductor
N沟道 60V 200A
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  2N7000  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.8 ohm, 4.5 V, 2.1 V
NTE Electronics
Luguang Electronic
Supertex(超科)
National Semiconductor(美国国家半导体)
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Motorola(摩托罗拉)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: 2N7000 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z