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2N7000TA
0.047
2N7000TA 数据手册 (7 页)
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2N7000TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
200 mA
封装
TO-92-3
额定功率
400 mW
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
5 Ω
极性
N-Channel
功耗
400 mW
阈值电压
3.9 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
200 mA
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
50pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
400 mW
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
400mW (Ta)

2N7000TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

2N7000TA 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.1 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.42 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.5 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
14 页 / 0.52 MByte

2N7000 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7000  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor(安森美)
小信号MOSFET 200毫安, 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92
CJ(长电科技)
N沟道,60V,0.2A,6Ω@4.5V
Diotec Semiconductor
N沟道 60V 200A
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  2N7000  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.8 ohm, 4.5 V, 2.1 V
NTE Electronics
Luguang Electronic
Supertex(超科)
National Semiconductor(美国国家半导体)
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Motorola(摩托罗拉)
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