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2N7002-7-F
0.008
2N7002-7-F 数据手册 (13 页)
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2N7002-7-F 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
115 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
0.3 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
13.5 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 mW
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
70.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
115 mA
上升时间
3 ns
输入电容值(Ciss)
50pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 mW
下降时间
5.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
370mW (Ta)

2N7002-7-F 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

2N7002-7-F 数据手册

Diodes(美台)
13 页 / 0.14 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
13 页 / 0.34 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.13 MByte

2N70027 数据手册

Diodes(美台)
N沟道MOSFET 60V 115mA SOT-23 代码 K72 低导通电阻RDS
Diodes(美台)
2N7002-7-F 编带
Multicomp
MULTICOMP  2N7002-7-F  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 1.2Ω, 115mA, SOT-23
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
CJ(长电科技)
MOS场效应管 2N7002 7002 SOT-23 N沟道,60V,115mA,5Ω@10V
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Fairchild(飞兆/仙童)
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