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2N7002KT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR 2N7002KT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 380mA SOT-23

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2N7002KT1G 数据手册 (7 页)

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2N7002KT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.19 Ω

极性

N-Channel

功耗

420 mW

阈值电压

2.3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

380 mA

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

24.5pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

300 mW

下降时间

29 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350mW (Ta)

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2N7002KT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

1.01 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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2N7002KT1G 符合标准

2N7002KT1G 海关信息

2N7002KT1G 概述

2N7002KT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.17 MByte

2N7002KT1G 产品设计参考手册

ON Semiconductor（安森美）

28 页 / 2.95 MByte

2N7002KT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

17 页 / 2.07 MByte

2N7002KT1G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.03 MByte

2N7002KT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

19 页 / 1.07 MByte

2N7002KT1G 产品修订记录

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7 页 / 0.6 MByte

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