Web Analytics
Datasheet 搜索 > 小信号二极管 > ON Semiconductor(安森美) > BAS21LT1G Datasheet 文档
BAS21LT1G
0.007
BAS21LT1G 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BAS21LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电流
200 mA
电容
5.00 pF
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
输出电流
≤200 mA
负载电流
0.2 A
针脚数
3 Position
正向电压
1.25 V
极性
Standard
功耗
385 mW
热阻
417℃/W (RθJA)
反向恢复时间
50 ns
正向电流
200 mA
最大正向浪涌电流
625 mA
正向电压(Max)
1.25 V
正向电流(Max)
200 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BAS21LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BAS21LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
39 页 / 4.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

BAS21LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高压开关二极管 High Voltage Switching Diode
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
Vishay Semiconductor(威世)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BAS21LT1G  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
Leshan Radio(乐山无线电)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z