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BAS40-06LT1G
0.018
BAS40-06LT1G 数据手册 (3 页)
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BAS40-06LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
电容
5.00 pF
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
正向电压
1 V
功耗
225 mW
正向电流
120 mA
最大正向浪涌电流
600 mA
正向电压(Max)
380 mV
正向电流(Max)
120 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
225 mW

BAS40-06LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BAS40-06LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

BAS4006LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
肖特基二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BAS40-06LT1G.  肖特基整流二极管阵列, 共阳极 0.12A SOT23
Leshan Radio(乐山无线电)
BAS40-06LT1G
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