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BC807-25WT1G
0.022
BC807-25WT1G 数据手册 (8 页)
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BC807-25WT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SC-70-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
460 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
160 @100mA, 1V
额定功率(Max)
460 mW
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-50 ℃
耗散功率(Max)
460 mW

BC807-25WT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC807-25WT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte

BC80725WT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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