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BC846BPDW1T1G
0.021
BC846BPDW1T1G 数据手册 (17 页)
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BC846BPDW1T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
65.0 V
额定电流
100 mA
封装
SC-70-6
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN, PNP
功耗
380 mW
击穿电压(集电极-发射极)
65 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
200 @2mA, 5V
额定功率(Max)
380 mW
直流电流增益(hFE)
290
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
380 mW

BC846BPDW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.95 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BC846BPDW1T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.16 MByte

BC846BPDW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管( NPN / PNP对偶) Dual General Purpose Transistors(NPN/PNP Duals)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC846BPDW1T1G  Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363 新
Leshan Radio(乐山无线电)
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