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BC857BDW1T1G
0.023
BC857BDW1T1G 数据手册 (7 页)
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BC857BDW1T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
-45.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SOT-363
极性
PNP, P-Channel
功耗
380mW
击穿电压(集电极-发射极)
-45.0 V
集电极最大允许电流
0.1A

BC857BDW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)

BC857BDW1T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
43 页 / 0.72 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

BC857BDW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC857BDW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, PNP, -45 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363
Leshan Radio(乐山无线电)
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