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BDW42G
0.909
BDW42G 数据手册 (7 页)
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BDW42G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
15.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
85 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
1000 @5A, 4V
额定功率(Max)
85 W
直流电流增益(hFE)
1000
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
增益带宽
4MHz (Min)
耗散功率(Max)
85000 mW

BDW42G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.28 mm
宽度
4.82 mm
高度
9.28 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BDW42G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 2.6 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.15 MByte

BDW42 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
达林顿互补硅功率晶体管 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Motorola(摩托罗拉)
Inchange Semiconductor
TT Electronics Resistors
New Jersey Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
ON Semiconductor(安森美)
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Motorola(摩托罗拉)
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