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BDW94C
0.316
BDW94C 数据手册 (6 页)
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BDW94C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-100 V
额定电流
-12.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
80 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
最小电流放大倍数
750 @5A, 3V
额定功率(Max)
80 W
直流电流增益(hFE)
1000
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
80000 mW

BDW94C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BDW94C 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
6 页 / 0.14 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
7 页 / 0.15 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.06 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
25 页 / 0.25 MByte

BDW94 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
ON Semiconductor(安森美)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BDW94C  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 80 W, 12 A, 1000 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BDW94CFP  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 33 W, -12 A, 1000 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
Power线性和开关应用 Power Linear and Switching Applications
ON Semiconductor(安森美)
PNP 80 W 100 V 12 A 法兰安装 外延 硅 晶体管 - TO-220-3
Fairchild(飞兆/仙童)
Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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