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BDX34C
0.538
BDX34C 数据手册 (4 页)
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BDX34C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
70 W
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
70 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
最小电流放大倍数
750 @3A, 3V
额定功率(Max)
70 W
直流电流增益(hFE)
750
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
70000 mW

BDX34C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BDX34C 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.08 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
7 页 / 0.13 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
6 页 / 0.09 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte

BDX34 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS
Fairchild(飞兆/仙童)
Power线性和开关应用 Power Linear and Switching Applications
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BDX34C  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BDX34CG  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BDX34BG  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 70 W, -10 A, 750 hFE 新
ON Semiconductor(安森美)
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
达林顿互补硅功率晶体管 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Fairchild(飞兆/仙童)
Power线性和开关应用 Power Linear and Switching Applications
Multicomp
MULTICOMP  BDX34B  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 80 V, 70 W, 10 A, 750 hFE
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