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BDX53B
0.25
BDX53B 数据手册 (7 页)
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BDX53B 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
60 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
最小电流放大倍数
750 @3A, 3V
额定功率(Max)
60 W
直流电流增益(hFE)
750
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
60000 mW

BDX53B 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BDX53B 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
7 页 / 0.08 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
7 页 / 0.14 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
7 页 / 0.1 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte

BDX53 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS
Fairchild(飞兆/仙童)
锤驱动器,音频放大器应用功率班轮和交换应用 Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Liner and Switching Applications
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BDX53C  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 60 W, 8 A, 750 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BDX53B  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 60 W, 8 A, 750 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BDX53CG  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 65 W, 8 A, 750 hFE
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor BDX53CTU NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
ST Microelectronics(意法半导体)
广颖电达林顿晶体管 SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
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