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BS250P
0.349
BS250P 数据手册 (1 页)
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BS250P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-45.0 V
额定电流
-230 mA
封装
TO-226-3
漏源极电阻
14.0 Ω
极性
P-Channel
功耗
0.7 W
漏源极电压(Vds)
45 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
230 mA
输入电容值(Ciss)
60pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
700 mW

BS250P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BS250P 数据手册

Diodes(美台)
1 页 / 0.04 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.17 MByte

BS250 数据手册

Diodes(美台)
Vishay Siliconix
GE(通用电气)
Diodes(美台)
BS250FTA 编带
Diodes(美台)
BS250P 袋装
TXC Corporation(晶技)
TXC  BS-250.000MBC-T  振荡器, LVPECL, 250MHZ, SMD
Diodes Zetex(捷特科)
P 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
TXC Corporation(晶技)
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