￥ 0.602

BSC028N06NS 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8

描述:

INFINEON BSC028N06NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSC028N06NS 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BSC028N06NS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0025 Ω

极性

N-Channel

功耗

83 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

38 ns

输入电容值(Ciss)

2700pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

View Datasheet >

BSC028N06NS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

View Datasheet >

BSC028N06NS 符合标准

BSC028N06NS 海关信息

BSC028N06NS 概述

BSC028N06NS 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.46 MByte

BSC028N06NS 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC028N06NS 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

34 页 / 2.17 MByte

BSC028N06NS 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSC028N06 数据手册

BSC028N06NSATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC028N06NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V

BSC028N06LS3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC028N06LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.7 V

BSC028N06NS 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC028N06NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V

BSC028N06LS3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC028N06LS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 1.7 V

BSC028N06LS3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

60V,100A,N沟道功率MOSFET,带逻辑电平

BSC028N06NSTATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 V

BSC028N06LS3 数据手册

Infineon（英飞凌）

BSC028N06NSATMA1 数据手册

IFC

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号