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BSC030N08NS5
0.679
BSC030N08NS5 数据手册 (12 页)
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BSC030N08NS5 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON-8
极性
N-CH
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
80 V
连续漏极电流(Ids)
100A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
4300pF @40V(Vds)
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 139W (Tc)

BSC030N08NS5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

BSC030N08NS5 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 1.19 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSC030N08 数据手册

Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
80V,3mΩ,100A,N沟道功率MOSFET
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