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BSS138LT3G
0.043
BSS138LT3G 数据手册 (5 页)
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BSS138LT3G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
200 mA
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
5.6 Ω
极性
N-Channel
功耗
225 mW
阈值电压
500 mV
输入电容
50.0 pF
漏源极电压(Vds)
50 V
漏源击穿电压
50.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
200 mA
输入电容值(Ciss)
50pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
225 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
225 mW

BSS138LT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS138LT3G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.6 MByte

BSS138LT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 200毫安, 50 V Power MOSFET 200 mA, 50 V
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT3G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷
Leshan Radio(乐山无线电)
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