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BSS83PH6327XTSA1
0.058
BSS83PH6327XTSA1 数据手册 (10 页)
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BSS83PH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
0.36 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.4 Ω
极性
P-Channel
功耗
360 mW
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
0.33A
上升时间
71 ns
输入电容值(Ciss)
78pF @25V(Vds)
下降时间
61 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
360 mW

BSS83PH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS83PH6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.46 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

BSS83PH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
60V,-0.33A,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS83P H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS83PH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
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