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BSS84P 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23

描述:

Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSS84P 数据手册 (8 页)

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BSS84P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

漏源极电阻

8 Ω

极性

P-Channel

功耗

360 mW

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

170 mA

上升时间

9.00 ns

输入电容值(Ciss)

15pF @25V(Vds)

下降时间

34 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

360 mW

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BSS84P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Cut Tape (CT)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSS84P 符合标准

BSS84P 概述

BSS84P 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.26 MByte

BSS84P 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSS84P 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSS84P 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSS84P 产品手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.08 MByte

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增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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