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BSS84PH6327XTSA2
0.035
BSS84PH6327XTSA2 数据手册 (8 页)
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BSS84PH6327XTSA2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
0.36 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
8 Ω
极性
P-Channel
功耗
360 mW
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
0.17A
上升时间
16.2 ns
输入电容值(Ciss)
15pF @25V(Vds)
下降时间
20.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
360 mW

BSS84PH6327XTSA2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS84PH6327XTSA2 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

BSS84PH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS84P H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
P沟道,60V,170mA,8Ω@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS84PH6327XTSA2  晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 5.8 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
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