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Datasheet 搜索 > 电源管理 > Infineon(英飞凌) > BTS50085-1TMA Datasheet 文档
BTS50085-1TMA
6.212
BTS50085-1TMA 数据手册 (18 页)
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BTS50085-1TMA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
7 Pin
封装
TO-263-8
输出接口数
1 Output
输出电流
38 A
供电电流
0.8 mA
通道数
1 Channel
针脚数
7 Position
功耗
170 W
输出电流(Max)
38 A
输出电流(Min)
9.9 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
170000 mW
电源电压
5.58 VDC

BTS50085-1TMA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
高度
4.4 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

BTS50085-1TMA 数据手册

Infineon(英飞凌)
18 页 / 0.29 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
67 页 / 0.1 MByte

BTS500851 数据手册

Infineon(英飞凌)
PROFET™ 智能高侧电源开关,单通道,Infineon过载保护 电流限制 短路保护 热关闭 过电压保护 静电放电 (ESD) 保护 ### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。
Infineon(英飞凌)
PROFET™ 智能高侧电源开关,单通道,Infineon过载保护 电流限制 短路保护 热关闭 过电压保护 静电放电 (ESD) 保护 ### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BTS500851TMAATMA1  智能电源开关, SIPMOS技术, TO-220-7
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BTS500851TMBAKSA1  智能电源开关, SIPMOS技术, TO-220-7
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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