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CL21A476MQYNNNE
器件3D模型
0.014
CL21A476MQYNNNE 数据手册 (21 页)
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CL21A476MQYNNNE 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
6.30 V
电容
47 µF
容差
±20 %
封装(公制)
2012
封装
0805
电介质特性
X5R
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
精度
±20 %
额定电压
6.3 V

CL21A476MQYNNNE 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
X5R/-55℃~+85℃
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1.25 mm
工作温度
-55℃ ~ 85℃
最小包装数量
2000

CL21A476MQYNNNE 数据手册

Samsung(三星)
21 页 / 0.35 MByte
Samsung(三星)
35 页 / 0.54 MByte
Samsung(三星)
160 页 / 4.82 MByte

CL21A476 数据手册

Samsung(三星)
0805 47 uF 6.3 V ±20 % 容差 X5R 表面贴装 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
Samsung 0805 MLCC seriesGeneral Multilayer Ceramic Chip CapacitorsHighly reliable tolerance and high speed automatic chip placement on PCBs Wide capacitance range Wide temperature compensation and voltage range: from C0G to Y5V and from 6.3V to 50V Highly reliable performance Highly resistant termination metal Applications include: HHP, DSC, DVC, LCD, TV, Memory Module, PDA, Game Machine; Tuner (Product code C is suitable.) For using special purpose like Military, Medical, Aviation, Automobile device should be following a special specification ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。
Samsung(三星)
0805 47 uF 6.3 V ±20 % 容差 X5R 表面贴装 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
MLCC-多层陶瓷电容器
Samsung(三星)
CL21 系列 0805 47 uF 4 V ±20% 容差 X5R 多层陶瓷贴片电容
Samsung(三星)
Samsung(三星)
贴片电容 0805 X5R 476M(47uF) 6.3V ±20%
Samsung(三星)
Samsung(三星)
MLCC-多层陶瓷电容器
Samsung(三星)
MLCC-多层陶瓷电容器
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