￥ 0.137

CSD17313Q2 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

WSON-FET-6

描述:

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD17313Q2 数据手册 (38 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在33 页 35 页 36 页

典型应用电路图在19 页 20 页 21 页 22 页 23 页 24 页 25 页 26 页 27 页 28 页 29 页

原理图在12 页

CSD17313Q2 数据手册 (38 页)

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CSD17313Q2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

WSON-FET-6

通道数

1 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.024 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.3 W

阈值电压

1.3 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

5.00 A

上升时间

3.9 ns

输入电容值(Ciss)

340pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.3 W

下降时间

1.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.3W (Ta)

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CSD17313Q2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2 mm

宽度

2 mm

高度

0.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

View Datasheet >

CSD17313Q2 符合标准

CSD17313Q2 概述

CSD17313Q2 数据手册

TI（德州仪器）

38 页 / 1.43 MByte

CSD17313Q2 产品设计参考手册

TI（德州仪器）

101 页 / 5.8 MByte

CSD17313Q2 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

1 页 / 0.11 MByte

CSD17313Q2 开发手册

TI（德州仪器）

18 页 / 1.33 MByte

CSD17313Q2 产品修订记录

TI（德州仪器）

3 页 / 0.14 MByte

CSD17313 数据手册

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30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

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