￥ 3.381

CSD17577Q3AT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSONP-8

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD17577Q3AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD17577Q3AT 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

CSD17577Q3AT 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

CSD17577Q3AT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSONP-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.004 Ω

极性

N-Channel

功耗

53 W

阈值电压

1.4 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

19A

上升时间

31 ns

输入电容值(Ciss)

1780pF @15V(Vds)

下降时间

4 ns

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.8W (Ta), 53W (Tc)

查看数据手册 >

CSD17577Q3AT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

0.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

CSD17577Q3AT 符合标准

CSD17577Q3AT 概述

CSD17577Q3AT 数据手册

TI（德州仪器）

8 页 / 0.25 MByte

CSD17577Q3AT 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.37 MByte

CSD17577Q3AT 产品修订记录

TI（德州仪器）

4 页 / 0.18 MByte

CSD17577Q3 数据手册

CSD17577Q3A 数据手册

TI（德州仪器）

N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=35A P=2.8W

CSD17577Q3AT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD17577Q3AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.4 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号