￥ 1.01

CSD18502KCS 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

40V，N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD18502KCS 数据手册 (28 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在16 页 17 页 18 页 20 页 21 页

典型应用电路图在12 页 13 页 14 页

原理图在1 页 11 页

CSD18502KCS 数据手册 (28 页)

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CSD18502KCS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.0024 Ω

极性

N-Channel

功耗

216 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

7.3 ns

输入电容值(Ciss)

4680pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

216 W

下降时间

9.3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

259W (Tc)

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CSD18502KCS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

4.7 mm

高度

16.51 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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CSD18502KCS 符合标准

CSD18502KCS 概述

CSD18502KCS 数据手册

TI（德州仪器）

28 页 / 1.1 MByte

CSD18502KCS 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

9 页 / 0.87 MByte

CSD18502KCS 产品修订记录

TI（德州仪器）

7 页 / 0.32 MByte

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