￥ 0.636

CSD18504Q5A 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

PowerTDFN-8

描述:

40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD18504Q5A 数据手册 (13 页)

封装尺寸在8 页 11 页

CSD18504Q5A 数据手册 (13 页)

查看文档

或点击图片查看大图

CSD18504Q5A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerTDFN-8

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0053 Ω

极性

N-Channel

功耗

77 W

阈值电压

1.9 V

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

50A

上升时间

6.8 ns

输入电容值(Ciss)

1656pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

3.1 W

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1W (Ta), 77W (Tc)

View Datasheet >

CSD18504Q5A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.8 mm

宽度

5 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

View Datasheet >

CSD18504Q5A 符合标准

CSD18504Q5A 概述

CSD18504Q5A 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.4 MByte

CSD18504Q5A 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

15 页 / 0.93 MByte

CSD18504Q5 数据手册

CSD18504Q5A 数据手册

TI（德州仪器）

40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD18504Q5AT 数据手册

TI（德州仪器）

40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、6.6mΩ 8-VSONP -55 to 150

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号