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CSD18532KCS
0.77
CSD18532KCS 数据手册 (11 页)
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CSD18532KCS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0033 Ω
极性
N-Channel
功耗
216 W
阈值电压
1.8 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
169A
上升时间
5.3 ns
输入电容值(Ciss)
4680pF @30V(Vds)
额定功率(Max)
216 W
下降时间
5.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250W (Tc)

CSD18532KCS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

CSD18532KCS 数据手册

TI(德州仪器)
11 页 / 0.73 MByte
TI(德州仪器)
10 页 / 0.9 MByte
TI(德州仪器)
7 页 / 0.32 MByte

CSD18532 数据手册

TI(德州仪器)
60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI(德州仪器)
60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD18532NQ5B
TI(德州仪器)
60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、3.2mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
TI(德州仪器)
60V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  CSD18532NQ5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 151 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V 新
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