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CSD18534Q5AT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSONP-8

描述:

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.8mΩ 8-VSONP -55 to 150

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD18534Q5AT 数据手册 (13 页)

封装尺寸在8 页 11 页

CSD18534Q5AT 数据手册 (13 页)

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CSD18534Q5AT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSONP-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

9.8 mΩ

极性

N-CH

功耗

3.1 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

50A

上升时间

5.5 ns

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

View Datasheet >

CSD18534Q5AT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6 mm

宽度

4.9 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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CSD18534Q5AT 符合标准

CSD18534Q5AT 概述

CSD18534Q5AT 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.4 MByte

CSD18534Q5AT 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.41 MByte

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TI（德州仪器）

60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18534Q5A

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TI（德州仪器）

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.8mΩ 8-VSONP -55 to 150

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