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D45VH10G
0.342
D45VH10G 数据手册 (6 页)
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D45VH10G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
50 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-15.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
83 W
增益频宽积
50 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
热阻
62.5℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
20 @4A, 1V
额定功率(Max)
83 W
直流电流增益(hFE)
35
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
83 W

D45VH10G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.28 mm
宽度
4.83 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

D45VH10G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

D45VH10 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Motorola(摩托罗拉)
New Jersey Semiconductor
Inchange Semiconductor
Intersil(英特矽尔)
Harting Technology Group(哈丁电子)
ON Semiconductor(安森美)
PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
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