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FDA50N50
3.847
FDA50N50 数据手册 (10 页)
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FDA50N50 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
48.0 A
封装
TO-3-3
额定功率
625 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.089 Ω
极性
N-Channel
功耗
625 W
阈值电压
5 V
输入电容
4.98 nF
栅电荷
105 nC
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
连续漏极电流(Ids)
48.0 A
上升时间
360 ns
输入电容值(Ciss)
6460pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
625 W
下降时间
230 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625W (Tc)

FDA50N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.6 mm
宽度
4.8 mm
高度
19.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDA50N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 1.16 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.22 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.62 MByte

FDA50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDA50N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 0.089 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
N-沟道 500 V 0.12 Ω 法兰安装 SMPS 功率 Mosfet TO-247
Cosel
散热片 HEAT SINK-VERTICAL DAS50 SERIES
Freescale(飞思卡尔)
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