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FDC6506P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6506P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3 A, -30 V, 170 mohm, -10 V, -1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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封装尺寸在1 页

FDC6506P 数据手册 (5 页)

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FDC6506P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-1.80 A

封装

TSOT-23-6

额定功率

0.96 W

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

170 mΩ

极性

P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel

功耗

960 mW

输入电容

190 pF

栅电荷

2.30 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.80 A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

190pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.96 W

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FDC6506P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDC6506P 符合标准

FDC6506P 海关信息

FDC6506P 概述

FDC6506P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.06 MByte

FDC6506P 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.09 MByte

FDC6506P 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.04 MByte

FDC6506P 开发手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 1.89 MByte

FDC6506P 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.2 MByte

FDC6506P 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.14 MByte

FDC6506 数据手册

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双P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET ™ Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET

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PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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