FDC655BN

￥ 0.172

FDC655BN 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDC655BN 数据手册 (7 页)

FDC655BN 数据手册 (7 页)

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FDC655BN 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

6.30 A

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.021 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.6 W

阈值电压

1.9 V

输入电容

570 pF

栅电荷

10.0 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.30 A

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

570pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

下降时间

3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.6 W

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FDC655BN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDC655BN 符合标准

FDC655BN 海关信息

FDC655BN 数据手册

FDC655BN 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.52 MByte

FDC655BN 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.52 MByte

FDC655BN 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.04 MByte

FDC655BN 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.17 MByte

FDC655 数据手册

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