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FDD8447L
0.455
FDD8447L 数据手册 (7 页)
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FDD8447L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.007 Ω
功耗
3.1 W
阈值电压
1.9 V
漏源极电压(Vds)
40 V
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
1970pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
1.3 W
下降时间
9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
44 W

FDD8447L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDD8447L 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.58 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.65 MByte
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 0.52 MByte

FDD8447 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8447L, 57 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.9 V
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
FDD8447L_F085 编带
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道MOSFET PowerTrench® 40V , 50A , 11.0MI © N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 50A, 11.0mΩ
Fairchild(飞兆/仙童)
40V N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 40V , 50A , 8.5米ヘ 40V N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 40V, 50A, 8.5mヘ
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