FDN302P

￥ 2.748

FDN302P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN302P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 55 mohm, -4.5 V, -1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDN302P 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

FDN302P 数据手册 (10 页)

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FDN302P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-20.0 V

额定电流

-2.40 A

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

55 mΩ

极性

P-Channel

功耗

500 mW

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

-2.40 A

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

882pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

460 mW

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

View Datasheet >

FDN302P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.92 mm

宽度

1.4 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

View Datasheet >

FDN302P 符合标准

FDN302P 海关信息

FDN302P 概述

FDN302P 数据手册

FDN302P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.22 MByte

FDN302P 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.09 MByte

FDN302P 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.04 MByte

FDN302P 产品描述及参数

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.1 MByte

FDN302P 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.1 MByte

FDN302 数据手册

FDN302 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FDN302P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN302P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 55 mohm, -4.5 V, -1 V

FDN302P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN302P, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装

FDN302P 数据手册

TI（德州仪器）

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