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FDN357N
0.16
FDN357N 数据手册 (5 页)
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FDN357N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
1.90 A
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.053 Ω
极性
N-Channel
功耗
500 mW
阈值电压
1.6 V
输入电容
235 pF
栅电荷
4.20 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.90 A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
235pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
460 mW
下降时间
3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
0.5 W

FDN357N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.92 mm
宽度
1.4 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDN357N 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte

FDN357 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN357N  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.053 ohm, 4.5 V, 1.6 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDN357N, 1.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
MOS(场效应管)/FDN357P
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