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FDN358P
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FDN358P 数据手册 (5 页)
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FDN358P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-1.50 A
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
200 mΩ
极性
P-Channel
功耗
560 mW
输入电容
182 pF
栅电荷
4.00 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.50 A
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
182pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
460 mW
下降时间
2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500mW (Ta)

FDN358P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.92 mm
宽度
1.4 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDN358P 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.11 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte

FDN358 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN358P  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN358P, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
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