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FDN359AN 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN359AN... 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 2.7A, SSOT

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDN359AN 数据手册 (8 页)

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FDN359AN 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

2.70 A

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

46 mΩ

极性

N-Channel

功耗

500 mW

阈值电压

1.6 V

输入电容

480 pF

栅电荷

5.00 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

2.70 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

480pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

460 mW

下降时间

4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.5 W

查看数据手册 >

FDN359AN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.92 mm

宽度

1.4 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDN359AN 符合标准

FDN359AN 海关信息

FDN359AN 概述

FDN359AN 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.22 MByte

FDN359AN 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.09 MByte

FDN359AN 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.04 MByte

FDN359AN 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.25 MByte

FDN359AN 其他参考文件

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1 页 / 0.15 MByte

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