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FDP3632 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDP3632 数据手册 (14 页)

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FDP3632 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

44.0 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.0075 Ω

极性

N-Channel

功耗

310 W

阈值电压

4 V

输入电容

6.00 nF

栅电荷

84.0 nC

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

80.0 A

上升时间

39 ns

输入电容值(Ciss)

6000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

310 W

下降时间

46 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

310W (Tc)

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FDP3632 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

9.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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FDP3632 符合标准

FDP3632 海关信息