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IRF100B201 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF100B201 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

IRF100B201 数据手册 (12 页)

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IRF100B201 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

4.2 mΩ

极性

N-Channel

功耗

441 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

192A

上升时间

97 ns

输入电容值(Ciss)

9500pF @50V(Vds)

下降时间

100 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

441W (Tc)

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IRF100B201 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF100B201 符合标准

IRF100B201 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.6 MByte

IRF100B201 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF100B201 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF100B201 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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