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IRF1405STRRPBF
1.69
IRF1405STRRPBF 数据手册 (11 页)
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IRF1405STRRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
5.3 mΩ
极性
N-CH
功耗
200 W
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
连续漏极电流(Ids)
131A
上升时间
190 ns
输入电容值(Ciss)
5480pF @25V(Vds)
下降时间
110 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200W (Tc)

IRF1405STRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF1405STRRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRF1405 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
New Jersey Semiconductor
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 5.3mohm ,ID = 169A ) Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=169A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1405PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 169 A, 55 V, 5.3 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1405ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 55 V, 4.9 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1405PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 169A, TO-220AB 新
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
N沟道 55V 75A
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