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IRF2804PBF
0.673
IRF2804PBF 数据手册 (12 页)
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IRF2804PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
330 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0023 Ω
极性
N-Channel
功耗
330 W
阈值电压
4 V
输入电容
6450 pF
漏源极电压(Vds)
40 V
漏源击穿电压
40 V
连续漏极电流(Ids)
280A
上升时间
120 ns
输入电容值(Ciss)
6450pF @25V(Vds)
下降时间
130 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

IRF2804PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.66 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF2804PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.39 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
20 页 / 0.94 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.12 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.14 MByte

IRF2804 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2804PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 280 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2804STRLPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 160A
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF2804SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,40V,75A,2mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
单 N 沟道 40 V 330 W 160 nC 汽车 功率 Mosfet 表面贴装-D2PAK-3
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