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IRF3415PBF
0.469
IRF3415PBF 数据手册 (9 页)
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IRF3415PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
150 V
额定电流
43.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
200 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.042 Ω
极性
N-Channel
功耗
200 W
零部件系列
IRF3415
阈值电压
4 V
输入电容
2400pF @25V
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
43.0 A
上升时间
55 ns
热阻
0.75℃/W (RθJC)
输入电容值(Ciss)
2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
200 W
下降时间
69 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200W (Tc)

IRF3415PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
8.77 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF3415PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.19 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.04 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.14 MByte

IRF3415 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
New Jersey Semiconductor
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 150V , RDS(ON) = 0.042ohm ,ID = 43A ) Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3415PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF3415SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF3415PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 43A, TO-220AB 新
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF3415SPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 43A, D2-PAK 新
International Rectifier(国际整流器)
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