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IRF520NPBF
0.108
IRF520NPBF 数据手册 (9 页)
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IRF520NPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
48 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.2 Ω
极性
N-Channel
功耗
48 W
阈值电压
4 V
输入电容
330pF @25V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
9.7A
上升时间
23 ns
输入电容值(Ciss)
330pF @25V(Vds)
下降时间
23 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
48W (Tc)

IRF520NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
高度
8.77 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF520NPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.16 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.04 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.14 MByte

IRF520 数据手册

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N沟道功率MOSFET , 11 A, 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 100V 9.2A
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Motorola(摩托罗拉)
N沟道 100V 9.2A
Intersil(英特矽尔)
9.2A , 100V , 0.270 Ohm的N通道功率MOSFET 9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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