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IRF5210STRLPBF
器件3D模型
0.469
IRF5210STRLPBF 数据手册 (10 页)
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IRF5210STRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
3.8 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.06 Ω
极性
P-CH
功耗
3.8 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
38A
上升时间
63 ns
输入电容值(Ciss)
2780pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.1 W
下降时间
55 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.1W (Ta), 170W (Tc)

IRF5210STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF5210STRLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.14 MByte

IRF5210 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
TT Electronics Resistors
New Jersey Semiconductor
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(ON) = 0.06ohm ,ID = -40A ) Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF5210STRLPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK, 整卷
International Rectifier(国际整流器)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 MOSFET 晶体管,Infineon (IR) MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-100V,-38A,60mΩ@10V
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