IRF640

￥ 2.619

IRF640 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF640 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

IRF640 数据手册 (9 页)

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IRF640 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

18.0 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

180 mΩ

极性

N-Channel

功耗

125 W

输入电容

1.30 nF

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200V (min)

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

18.0 A

上升时间

51 ns

下降时间

36 ns

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IRF640 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.41 mm

宽度

4.7 mm

高度

15.49 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRF640 符合标准

IRF640 数据手册

IRF640 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.27 MByte

IRF640 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

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