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IRF640 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF640 数据手册 (14 页)

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IRF640 数据手册 (14 页)

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IRF640 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

18.0 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

180 mΩ

极性

N-Channel

功耗

125W (Tc)

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

18.0 A

上升时间

27 ns

输入电容值(Ciss)

1560pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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IRF640 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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IRF640 符合标准

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ST Microelectronics（意法半导体）

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