器件3D模型

￥ 0.453

IRF7343PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON IRF7343PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7343PBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

IRF7343PBF 数据手册 (10 页)

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IRF7343PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2 W

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.05 Ω

极性

N+P

功耗

2 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55 V

连续漏极电流(Ids)

4.7A/3.4A

热阻

62.5℃/W (RθJA)

输入电容值(Ciss)

740pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2 W

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IRF7343PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Tube

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

View Datasheet >

IRF7343PBF 符合标准

IRF7343PBF 概述

IRF7343PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.21 MByte

IRF7343PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF7343PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

IRF7343PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF7343PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.68 MByte

IRF7343PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.11 MByte

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